0 comments

GlobalFoundries oferă detalii despre procesul său de 7nm

by on 26/06/2017
 

Ne pregătim pentru un nou salt tehnologic în industria semiconductoarelor, cel care ne va duce sub pragul de 10 nanometri, în funcție de ce repere folosiți cu exactitate pentru această măsurătoare.

GlobalFoundries a publicat recent detalii despre planurile sale pentru dezvoltarea procesului de 7 nanometri pentru fabricat semiconductoare. Varianta finală a procesului va fi disponibilă din a doua jumătate a anului 2018, partenerii de afaceri mai mari ai companiei având însă acces timpuriu la noua metodă de producție.

Prima iterație a procesului pe 7 nanometri nu se va folosi de litografie ultraviolete extreme, dar tot se așteaptă un salt al performanței de 40%, o creștere a eficienței energetice de 60% și o reducție la jumătate a zonei acoperite, în comparație cu procesul actual de 14 nanometri.

Tehnologia de fabricație cu EUL(extreme ultraviolet lithography)va intra în uz abia în anul 2019, și nu va oferi salturi atât de mari de performanță, fiind vorba tot de procesul pe 7nm. În schimb, va aduce un randament mult mai bun, reducând complexitatea procesului de producție. De asemenea, va permite ridicarea până la 700 milimetri pătrați a mărimii unui procesor efectiv realizat în uzinele GlobalFoundries.


Procesul acesta va avea parte de încă un rafinament în anul 2020, de la care chiar se așteaptă un salt în materie de performanță și eficiență, din moment ce atunci tehnologia va fi mult mai bine pusă la punct. Apoi, dincolo de 2020 ne putem aștepta la trecerea către procesul de 5 nanometri.

Partea importantă de ținut minte aici este că AMD se bazează foarte mult pe GlobalFoundries pentru procesoarele sale, iar generația a doua de procesoare Zen va fi construită pe 7 nanometri. Așa că vă puteți aștepta un spor de performanță sesizabil pentru anul viitor.

Dacă sunteți interesați de mai multe detalii tehnice, vă încurajez să aruncați o privire peste articolul din link-ul de mai jos.

[Anandtech]

Be the first to comment!
 
Leave a reply »

 

Leave a Response