1 comment

GlobalFoundries se pregătește pentru procesul de 12 nanometri FD-SOI

by on 14/09/2016
 

În timp ce Intel încearcă să perfecționeze procesul de 10 nanometri, iar TSMC speră să ajungă la 7 nanometri până în 2020, GlobalFoundries are alte planuri, dezvoltarea unui proces de fabricație pe 12 nanometri. Dar nu orice fel de proces de fabricație de 12 nanometri, ci unul de tipul FD-SOI.

Mai pe lung, un proces de tipul Fully Depleted Silicon on Insulator. Compania numește procesul 12FDX și speră ca până în 2019 să fie gata. Spre deosebire de metodele standard de litografie pe un substrat de siliciu, metoda FD-SOI implică folosirea unui strat de izolator peste care este amplasat stratul efectiv de siliciu folosit la imprimarea circuitelor. Acest strat este menit să împiedice scurgerile de energie pe această direcție și poate fi chiar polarizat, permițând o reducere și mai mare a pierderilor sau mărirea voltajului pentru moduri de boost.

În acest moment, Global Foundries se pregătește să lanseze procesul de fabricație 22FDX, despre care se spune că ar avea cam aceeași performanță ca procesul de 14 nanometri cu FinFET, dar la costul procesului de 28 de nanometri. Procesul  12FDX ar urma să aibă performanță similară cu 10nm FinFET, la un cost mai mic în comparație cu cel de 16nm FinFET. Comparat cu tehnologia curentă de la GlobalFoundries, ar oferi performanță cu 15% mai bună și un consum energetic cu 50% mai mic.

Înainte să vă întrebați dacă procesoarele Zen din 2019-2020 vor fi construite pe acest proces de fabricație, merită menționat că GlobalFoundries a intenționat ca 12FDX să fie folosit în mare parte pentru aplicații din categoria Internet of Things, pentru mașini, pentru dispozitive mobile și pentru rețele.

[PC Per]

comments
 
Leave a reply »

 

Leave a Response