0 comments

Tranzistorii se pregătesc să scadă sub 5 nanometri

by on 12/10/2016
 

O problemă esențială a tehnologiei moderne de calcul este că nu prea mai are unde să se ducă. Siliciul va atinge limitele sale fizice ca un semiconductor atunci când se va trece de bariera de 5 nanometri, așa că se caută înlocuitori.

Unul a fost găsit recent, sub forma unei combinații de disulfat de molibden și nano-tuburi de carbon. Mai exact, un grup de cercetători de la Universitatea din California, Laboratorul Național Lawrence Berkley, Universitatea din Texas și Universitatea Standford au reușit să facă un tranzistor care în teorie va putea fi scalat la un proces de fabricație cu mult mai mic de 5 nanometri.

Cât de mic? Componenta responsabilă pentru polarizarea substratului prin care electronii circulă într-un tranzistor, „poarta”, este realizată dintr-un nano-tub de carbon de numai 1 nanometru.

Desigur, celelalte componente sunt mai mari de atât, nu este vorba de un tranzistor de 1 nanometru sau un procesor de 1 nanometru. Ci doar de o demonstrație a potențialul acestor materiale pentru realizarea de tranzistori. Procesul de realizare nu a fost simplu, fiind vorba de materiale care nu sunt ușor de prelucrat. Nu numai asta, dar disfulfatul de molibden este practic mai puțin adecvat ca siliciul ca un semiconductor, electronii circulând mai greu prin el.  Asta înseamnă că un procesor făcut din acest material va fi mai lent ca unul de siliciu, dar cel puțin dimensiunile sale pot fi reduse.

Cercetătorii au ținut să clarifice că nu este motiv de sărbătorire, fiindcă tot mai este mult de muncă până când se va și putea face ceva cu această descoperire.

[Anandtech]

Be the first to comment!
 
Leave a reply »

 

Leave a Response